BT1012外协塑封(XJ024012300242)

基本信息 发布单位:华东光电集成器件研究所最终单位:华东光电集成器件研究所参与方式:公开询价出价方式:一次性出价付款方式:保证金:50.0元联系人:李盼盼联系方式:15670827905BT1012外协塑封信息20240103(1).rar 采购明细 序号 商品名称 品类 采购数量 最少响应量 1BT1012外协塑封电力电子元器件>其他6800.0只6800.0只 可报价时间 开始时间 2024-01-23 13:28:00结束时间 2024-01-25 13:28:00备注：报价地址： https://newtd.norincogroup-ebuy.com/inquiryweb/index华东光电集成器件研究所产品封装信息表部门：研发五部填表人：张慧日期：202304191.基本信息 1.1芯片型号 BT10121.2封装形式 Etssop28L(9.7×4.4-0.65)2.晶圆芯片信息 2.1晶圆尺寸 □4吋 Inch □5吋 Inch ■6吋 Inch□8吋 Inch □分离芯 Sawn Wafer □多目标 Multi-die in one wafer2.2芯片尺寸 （μm）X/Y: 4900/2040 最小划道宽度（μm）1202.3粘胶材料 ■导电胶Conductive □非导电胶Non-Conductive□DAF软焊料 Soft Solder2.4晶圆厂 □tSMC □UMC □SMIC □Globalfoundries ■其他Other: 上华 2.5晶圆技术 ■硅Si □砷化镓GaAs □碳化硅SiC □Low-K □其他Other: 晶圆制程工艺（最小线宽）（纳米nm）： 2.6焊窗下是否有器件？■NO□YES, 如果是，在第几层金属下面:______？2.7芯片功能 □MOSFET □RF □MEMS □Memory □Flash ■Power □其他Other: 2.8芯片功耗5W3.压焊技术信息 3.1焊丝种类 □铜丝Cu Wire □钯铜丝PdCu Wire □合金丝Ag Alloy ■金丝Au Wire 3.2焊丝直径 □18μm □20μm ■25μm □30μm □38μm □其他Other： 3.3Top Metal铝垫成份及铝厚度(μm)Al% 3.4焊窗开窗尺寸BPO（μm）X/Y: 92/92 焊窗最小节距BPP（μm）1103.5最大电流 （安培A）1.2A4. 应用要求 4.1IC应用领域□消费型Consumption type■工业级The industrial level□汽车电子Automotive Product □其他Other： 4.2IC可靠性要求□MSL1（JEDEC标准）■MSL2（JEDEC标准）□MSL3（JEDEC标准）□其他Other：4.3产品有无特殊需求如：可靠性等级MSL3+零分层（成本会增加）4.4环保要求■RoHS□Halogen Free□SONY□WEEE□其他Other：注释针对45nm（含）以下晶圆制程请务必填写2.5项（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开装）审核：批准：日期：日期：关于ETssop28L封装项目技术协议本协议由下列双方签订：甲方：华东光电集成器件研究所乙方：济宁嘉豪电子科技有限公司根据《中华人民共和国民法典》、《中华人民共和国专利法》、《中华人民共和国著作权法》等相关法律法规，甲方与乙方之间本着相互合作的精神，就项目研制过程中涉及的内容自愿达成如下协议：1.该协议的使用范围该协议仅限于ETssop28L封装项目之事项。2.合作范围（约定各方同意的研究项目主要内容）1.技术目标ETssop28L塑封封装，封装6800只，封装可靠性满足MSL2(JEDEC)要求。具体要求如下：可靠性要求：1.声扫：无裂纹和分层、空洞等；2.热冲击：-65℃~150℃，20cycles，无裂纹和分层；3.温度循环TCT：-65℃~150℃，100cycles，无裂纹和分层；4.盐雾：按GB/T4937.13方法，24hours（出现以下情况拒收：①腐蚀缺陷面积超过底金属面积的5%。测量中要计入的腐蚀缺陷有：凹坑、气泡、起皮和腐蚀生成物。②引线缺损、断裂或部分分离。此外，若引线出现针孔、凹坑、气泡、起皮、腐蚀生成物完全跨越引线）。2.芯片供料方式由甲方直接提供给乙方，采用邮寄方式或专人送达。3.封装形式带热沉ETssop28L塑封4.封装外形尺寸与管脚定义2815日日DD日日DD14日日DD日日DDTHHEH尺寸符号数 值(单位mm)尺寸符号数 值(单位mm)尺寸符号最 小公 称最 大尺寸符号最 小公 称最 大A－－1.200E4.300－4.500A10.050－0.150E12.253－2.453A20.800－1.050－0.65－b0.190－0.300HE6.250－6.550c0.090－0.200LP0.450－0.750D9.600－9.800?0?－8?D15.908－6.1081282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT101226425524623722821920101911181217131614151282273BT10122642552462372282192010191118121713161415NCTRESETNCNC1GNDNCTEN1FB1IN10UT1IN10UTNC2RESETNCNC2GNDNC2ENNC2IN20UT2IN20UTNCNCNCNC外引线排列5.芯片结构芯片面积：2160um*5020um（含划片槽），划片槽120um128200口口口国国国国医1：125425C4标识1622B2DB11标识2112316Y1415口口口口口口口343332313029281127[2口3口426口口5口6725口标识124口HDGD口823口2221口口9口10口11口1220[口口133.3V口1419口1518口标识217口HDGD口1611口口口口口3433323130口29口2827[2口3口426口口5口6725口HDGD口824口23口口92221口口10口11口1220[口口133.3V口1419口1518口HDGD口1617口表1键合点排列和坐标6.标识示意图序号PAD名称X(um)Y(um)PAD尺寸Tssop2811GND175.004679.45592um*92umnobonding21GND175.004549.45592um*92um33175.004379.45592um*92umnobonding4175.004209.45592um*92umnobonding51EN175.003814.26092um*92um461IN258.7603316.69092um*92um571IN258.7603130.60592um*92umnobonding81IN258.7602833.20592um*92um69492.4602335.00092um*92umnobonding10664.4602335.00092um*92umnobonding11836.4602335.00092um*92umnobonding121008.4602335.00092um*92umnobonding132GND175.002169.45592um*92umnobonding142GND175.002039.45592um*92um915175.001869.45592um*92umnobonding16175.001699.45592um*92umnobonding172EN175.001304.26092um*92um10182IN258.760806.69092um*92um11192IN258.760620.60592um*92umnobonding202IN258.760323.20592um*92um12212OUT1897.895323.20592um*92um17222OUT1897.895488.50092um*92umnobonding232OUT1897.895674.58592um*92um18242SENSE1984.4701315.72092um*92um19251984.4701853.85092um*92umnobonding262RESET1716.9552335.00092um*92um22271464.0102335.00092um*92umnobonding281180.4602335.00092um*92umnobonding291OUT1897.8952833.20592um*92um23301OUT1897.8952998.50092um*92umnobonding311OUT1897.8953184.58592um*92um24321SENSE1984.4703825.72092um*92um25331984.4704363.85092um*92umnobonding341RESET1716.9554845.00092um*92um28序号PAD名称X(um)Y(um)PAD50092um*92umnobonding311OUT1897.8953184.58592um*92um24321SENSE1984.4703825.72092um*92um25331984.4704363.85092um*92umnobonding341RESET1716.9554845.00092um*92um28芯片1脚“●”标出来。2815月月月月月月月月月月月11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L11一一一一一一一一L1417.芯片在晶圆上布局本次只封“NFD_3D3_1A”。整体版图布局设计(24合一)双芯片标识1标识2备注1D8_3D32020.07 1.8V HDGD2020.07 3.3V HDGD16根丝2D5_3D32020.07 2.5V HDGD2020.07 3.3V HDGD16根丝NFD_3D3_1A2020.07 NFD 1A HDGD2020.07 3.3V 1A HDGD16根丝注：两颗芯片保留成整体，切勿划开8.封装要求1.1.按照工艺流程完成封装1.2.按照测试标准完成封装测试1.3.每个批次提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告3.各方责任（约定各方在项目执行过程中的责任，包括但不限于研究工作，提供基础条件、配套经费及设施）1.本协议合作各方在项目中，分工承担如下工作：甲方：华东光电集成器件研究所工作内容：向乙方提供芯片和封装中与芯片有关的信息乙方：工作内容：1.1.在江苏长电科技、华天科技、通富微电等国内封装大厂按照标准工艺流程完成封装：1.2.按照测试标准完成封装测试；1.3.剩余其他芯片保留在蓝膜上，返还甲方；1.4.交付封装好的产品给甲方，并配合甲方完成验收。2.需达到的技术指标要求：序号项目要求1外形尺寸规格9.7mm*4.4mm，引脚节距0.65mm，具体见协议中2.4中要求的封装外形尺寸2芯片贴装考虑导热性、导电性；芯片剪切力及内部目检满足GB/T4937相关要求3引线框架芯片粘接区域禁止采用银电镀4引线键合键合：金丝焊球，直径25um；单根引线最大电流：1.2A；键合拉力及内部目检满足GB/T 4937相关要求5引线牢固性满足GB/T 4937相关要求6封装材质PPF，阻燃满足GB/T5169.5-2008相关要求；绿色环保无铅、无卤素、无锑化7粘片胶材质导电胶8应力胶材质9镀层引线框架和外引线采用环保无铅材料10外观满足GB4937.3-2012中相关外观目检检验要求，塑封表面采用哑光磨砂11内部目检100%检验，剔除芯片表面有划伤、沾污、裂纹、崩边、钝化层破裂等，剔除键合丝倒伏、拖尾、交叉的电路12多余物参照国家标准执行，无多毛絮等有机余物13电气性能满足项目需求14可靠性MSL2要求及协议中2.1中要求，工作温度范围：-55℃～125℃，贮存温度：-65℃～150℃15成品率≥95%16出货包装防潮、防静电、PVC管真空包装17技术标准参照国家标准执行3.在研制过程中，甲方应向乙方提供相关的资料、信息及数据，乙方及时向甲方反馈项目进度及试验情况；乙方不得泄露甲方任何技术和商业秘密，并注意研究项目的保密性。4.验收方法和验收标准1.验收方法依据GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法和GB/T5169.5-2008。2.验收要求1.1.外观检查：无塑封体缺陷（破裂、裂痕、错模、错位、气孔、气泡、表面划伤、表面污染、注胶残留）、无引脚不良（缺脚、断脚、连筋、长短脚、切筋偏位、共面度差、引脚毛刺等）、无电镀不良（漏铜、焊桥连、镀层起泡针孔、锡变色）1.2.可靠性要求5.声扫：无裂纹和分层、空洞等；6.热冲击：-65℃~150℃，20cycles，无裂纹和分层；7.温度循环TCT：-65℃~150℃，100cycles，无裂纹和分层；8.盐雾：按GB/T4937.13方法，24hours（出现以下情况拒收：①腐蚀缺陷面积超过底金属面积的5%。测量中要计入的腐蚀缺陷有：凹坑、气泡、起皮和腐蚀生成物。②引线缺损、断裂或部分分离。此外，若引线出现针孔、凹坑、气泡、起皮、腐蚀生成物完全跨越引线）。9.引线键合拉力满足GB/T4937；10.引线牢固性满足GB/T4937；11.内部目检：无键合丝倒伏、拖尾、交叉的现象，无多毛絮等有机余物。1.3.提供报告及资料1.提供所使用原材料（塑封料、引线框架、键合丝）清单，包含型号规格和制造商。2.每个批次提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。3.提供加工流程单。双方委派下列授权代表签署本协议甲方：技术人员签章单位签章 日期 乙方：技术人员签章单位签章 日期 整体版图布局设计(24合一)双芯片标识1标识2备注1D8_3D32020.07 1.8V HDGD2020.07 3.3V HDGD16根丝2D5_3D32020.07 2.5V HDGD2020.07 3.3V HDGD16根丝NFD_3D3_1A2020.07 NFD 1A HDGD2020.07 3.3V 1A HDGD16根丝128200口口口国国国国医1：125425C4标识1622B2DB11标识2112316Y1415压焊图PAD坐标（芯片面积：2160um*5020umPAD尺寸：92um*92um）Chip No.Pad NameXYPackage No.description11GND175.004679.455no bonding21GND175.004549.45533175.004379.455no bonding4175.004209.455no bonding51EN175.003814.260461IN258.7603316.690571IN258.7603130.605no bonding81IN258.7602833.20569492.4602335.000no bonding10664.4602335.000no bonding11836.4602335.000no bonding121008.4602335.000no bonding132GND175.002169.455no bonding142GND175.002039.455915175.001869.455no bonding16175.001699.455no bonding172EN175.001304.26010182IN258.760806.69011192IN258.760620.605no bonding202IN258.760323.20512212OUT1897.895323.20517222OUT1897.895488.500no bonding232OUT1897.895674.58518242SENSE1984.4701315.72019251984.4701853.850no bonding262RESET1716.9552335.00022271464.0102335.000281180.4602335.000291OUT1897.8952833.20523301OUT1897.8952998.500no bonding311OUT1897.8953184.58524321SENSE1984.4703825.72025331984.4704363.850no bonding341RESET1716.9554845.00028351464.0104845.000no bonding361180.4604845.000no bonding371008.4604845.000no bonding38836.4604845.000no bonding39664.4604845.000no bonding40492.4604845.000no bondingn加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单n加 工 委 托 单nnnnnnnnnnnnFrom:华东光电集成器件研究所（214所）nFrom:华东光电集成器件研究所（214所）nFrom:华东光电集成器件研究所（214所）nFrom:华东光电集成器件研究所（214所）nFrom:华东光电集成器件研究所（214所）nnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nATTN:nnnnnnnnnnnnnnnnnn订单编号：nxxxxxxxxnnnn序号n产品型号n芯片名称n晶圆布局n批号n片数n数量n封装形式n焊丝尺寸n压焊图编号n加工项目n测试规范编号n是否依MAP取片n打印方式n印章内容nn1nBT1012nNFD_3D3_1An2020.07 NFD 1A HDGDn2401n10n约6800neTSS0P28L(9.7×4.4-0.65)有热沉nΦ25μmn金丝n/n塑封n/n/n不需要打标nnn1nBT1012nNFD_3D3_1An2020.07 3.3V 1A HDGDn2401n10n约6800neTSS0P28L(9.7×4.4-0.65)有热沉nΦ25μmn金丝n/n塑封n/n/n不需要打标nnn备注：n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃n每只电路中包含两颗不同版本的芯片，划片时无须分开，晶圆的版图如下.测试温度-55℃～+125℃，存储范围-65℃～+150℃nnn备注：nnn每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）n每批塑封电路请提供四组32线数据引线拉力和芯片剪切力报告。谢谢！（同一晶圆包含不同版本的芯片，请分开包装。）nnn两颗芯片保留成整体，切勿划开n两颗芯片保留成整体，切勿划开n两颗芯片保留成整体，切勿划开n两颗芯片保留成整体，切勿划开nnnnnnnnnnnnnnn