XX频率合成器IP技术(XJ024012200604)

基本信息 发布单位:华东光电集成器件研究所最终单位:华东光电集成器件研究所参与方式:公开询价出价方式:一次性出价付款方式:保证金:500.0元联系人:刘阳联系方式:13084086982合成器IP技术要求.pdf 采购明细 序号 商品名称 品类 采购数量 最少响应量 1频率合成器IP技术服务类1.0项1.0项 可报价时间 开始时间 2024-01-24 17:07:00结束时间 2024-01-30 10:00:00备注：报价地址： https://newtd.norincogroup-ebuy.com/inquiryweb/index复杂电磁环境下的低相位噪声跳频频率合成器IP技术需求一、任务目标针对目标工艺开展复杂电磁环境下的低相噪跳频频率合成器设计、版图设计和仿真验证工作。二、任务内容1.针对目标工艺完成复杂电磁环境下的低相噪跳频频率合成器的设计和验证、GDS版图和LVS/DRC报告；2.进行完整的版图设计；三、技术指标1.项目芯片指标要求1）工艺指标：采用SMIC55nmRFCMOS工艺2）IP面积：小于1mm23）宽带低相噪频率合成器技术指标干扰信号类型：带宽1MHz的高斯白噪声干扰信号积分功率：-20dBm干扰信号偏离VCO中心频率：2MHz射频输入频率范围：1000~20000MHz射频输入功率范围：-5~5dBm参考输入频率范围：200MHz参考输入功率范围：-10~5dBm输出功率：-5~5dBm鉴相频率：200MHz工作电流：≤10mA锁定时间：5uS（1ppm频率精度）跳频周期：1万跳/s分频比范围：32~511连续分频相位噪声：≤-110dBc/Hz@100KHz底板相位噪声≤-235dBc/Hz整数模式≤-230小数模式工作温度范围：-50~125℃储存范围温度：-60~150℃电源电压：1.2V四、交付成果1.设计文件复杂电磁环境下的低相噪频率合成器电路的GDS版图文件（电子版）.复杂电磁环境下的低相噪频率合成器电路的设计文件（电子版）2.文档资料复杂电磁环境下的低相噪频率合成器设计方案（电子版）-1-·复杂电磁环境下的低相噪频率合成器使用手册（电子版）项目交付后，提供1年免费技术支持，重大测试或执行重要任务期间，需派技术人员提供支持。